檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Dong-Hau Kuo".ecommittee (精準) and year="110"
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近年來,第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件,然而高功率操作下元件廢熱堆積,會使元件特性衰退,傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料,由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上,面臨的兩大瓶…
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用,然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…
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